Η δημόσια εγγραφή της Qiangyi Semiconductor συγκεντρώνει 1,5 δισεκατομμύρια γιουάν για έργα Ε&Α και παραγωγής

Η Qiangyi Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. σχεδιάζει να συγκεντρώσει 1,5 δισεκατομμύρια γιουάν στην IPO, κυρίως για το έργο Έρευνας και Ανάπτυξης και παραγωγής καρτών Nantong (1,2 δισεκατομμύρια γιουάν) και τα κεντρικά γραφεία και το έργο κατασκευής κέντρων Ε&Α της Suzhou (300 εκατομμύρια γιουάν). Μέσω αυτής της χρηματοδότησης, η εταιρεία ελπίζει να ενοποιήσει τα τεχνικά της πλεονεκτήματα σε τομείς που δεν αποθηκεύονται, να επιτύχει τεχνολογικές ανακαλύψεις στον τομέα αποθήκευσης και να επεκτείνει τις δυνατότητες παραγωγής και κατασκευής καρτών ανιχνευτών 2D MEMS, καρτών ανιχνευτών λεπτής μεμβράνης και καρτών ανιχνευτών 2,5D MEMS σε ενίσχυση της ανταγωνιστικότητας διαφορετικών προϊόντων στον τομέα.