Qiangyi Semiconductor IPO piesaista 1,5 miljardus juaņu pētniecības un attīstības un ražošanas projektiem

Qiangyi Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. plāno IPO piesaistīt 1,5 miljardus juaņu, galvenokārt Nantong zondes kartes pētniecības un izstrādes un ražošanas projektam (1,2 miljardi juaņu) un Sudžou galvenās mītnes un pētniecības un attīstības centra būvniecības projektam (300 miljoni juaņu). Izmantojot šo finansējumu, uzņēmums cer nostiprināt savas tehniskās priekšrocības jomās, kas nav saistītas ar glabāšanu, sasniegt tehnoloģiskus sasniegumus uzglabāšanas jomā, kā arī paplašināt 2D MEMS zondes karšu, plānās plēves zondes karšu un 2,5D MEMS zondes karšu ražošanas un ražošanas iespējas. uzlabot dažādu produktu konkurētspēju šajā jomā.