Qiangyi Semiconductor IPO ombyaty 1.500 millones de yuanes umi proyecto I+D ha producción-pe guarã

Qiangyi Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. oreko plan ombyaty haguã 1.500 millones de yuanes IPO-pe, principalmente proyecto de I+D ha producción tarjeta sonda Nantong (1.200 millones de yuanes) ha proyecto de construcción sede ha centro I+D Suzhou (300 millones de yuanes). Ko financiamiento rupive, empresa oha'ãrõ omoañete ventaja técnica orekóva umi ámbito no almacenamiento, ohupyty avance tecnológico campo de almacenamiento, ha ombotuichave capacidad de producción ha fabricación tarjeta sonda MEMS 2D, tarjeta sonda película fina ha tarjeta sonda MEMS 2.5D to omombarete competitividad producto iñambuéva ko rubro-pe.