Kostnadsproblemer i silisiumkarbidindustrikjeden

Den utbredte bruken av silisiumkarbidenheter er begrenset av høye produksjonskostnader, spesielt kostnadene for substrat og epitaksiale prosesser, som utgjør opptil 70 %. I motsetning til dette er produksjonskostnadene for back-end wafer for silisiumbaserte enheter relativt høye, og utgjør 50 %, og substratkostnadene utgjør bare 7 %.