英諾賽科產能供應穩定，出貨量排名前列

截至2023年12月31日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，設計產能為每月1萬片，晶圓良率超過95%。 2023年，該公司的總產能為9.27萬片，產量為6.66萬片左右，利用率為71.8%。