Qorvo bringt 750 V 4 mΩ SiC JFET im TOLL-Gehäuse auf den Markt, um Innovationen in der Leistungsschaltertechnologie voranzutreiben

Qorvo, der weltweit führende Anbieter von Konnektivitäts- und Stromversorgungslösungen, kündigte die Einführung eines 4-mΩ-Siliziumkarbid-(SiC-)Junction-Feldeffekttransistors (JFET) in einem TOLL-Gehäuse an – UJ4N075004L8S. Dieses Produkt wurde für Schaltkreisschutzanwendungen, einschließlich Halbleiter-Leistungsschalter, entwickelt und zeichnet sich durch geringen Widerstand, hervorragende thermische Leistung, geringe Größe und hohe Zuverlässigkeit aus.