ON Semiconductor lansează modulul IGBT de generația a 7-a pentru a sprijini aplicațiile de energie regenerabilă

ON Semiconductor a lansat modulul de putere cu tranzistor bipolar cu poartă izolată QDual3 de generația a șaptea de 1200 V (IGBT). Modulul are o densitate de putere mai mare și o putere de ieșire cu 10% mai mare decât produsele similare. Modulul QDual3 se bazează pe noua tehnologie IGBT de a șaptea generație (FS7), care oferă performanțe de vârf în materie de eficiență energetică, ajutând la reducerea costurilor sistemului și la simplificarea designului.