ON Semiconductor lansira modul IGBT 7. generacije za podporo aplikacijam za obnovljivo energijo

ON Semiconductor je izdal svojo sedmo generacijo napajalnega modula 1200 V QDual3 z bipolarnim tranzistorjem z izoliranimi vrati (IGBT). Modul ima višjo gostoto moči in izhodno moč, ki je 10 % višja od podobnih izdelkov. Modul QDual3 temelji na novi tehnologiji IGBT 7. generacije (FS7) z zaustavitvijo polja, ki prinaša vodilno energetsko učinkovitost v panogi, pomaga zmanjšati stroške sistema in poenostavi načrtovanje.