ON Semiconductor ra mắt mô-đun IGBT thế hệ thứ 7 để hỗ trợ các ứng dụng năng lượng tái tạo

ON Semiconductor đã ra mắt mô-đun nguồn bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện (IGBT) 1200V QDual3 thế hệ thứ bảy. Mô-đun này có mật độ năng lượng cao hơn và công suất đầu ra cao hơn 10% so với các sản phẩm tương tự. Mô-đun QDual3 dựa trên công nghệ IGBT thế hệ thứ 7 (FS7) mới, mang lại hiệu suất tiết kiệm năng lượng hàng đầu trong ngành, giúp giảm chi phí hệ thống và đơn giản hóa thiết kế.