Die 800-V-Plattform und Siliziumkarbid fördern gemeinsam die Explosion des Marktes für neue Energiefahrzeuge

Die 800-V-Plattform und Siliziumkarbid fördern gemeinsam die Explosion des Marktes für neue Energiefahrzeuge. In segmentierten Anwendungen hat der Hauptwechselrichter als Kern und wertvollster Bereich reine SiC-MOSFET-Alternativen übernommen, während OBC und DC-DC weiterhin SiC-SBD als kurzfristigen Übergang verwenden.