Platforma 800 V in silicijev karbid skupaj spodbujata eksplozijo trga novih energetskih vozil

Platforma 800 V in silicijev karbid skupaj spodbujata eksplozijo trga novih energetskih vozil. V segmentiranih aplikacijah je glavni pretvornik, kot jedro in najbolj dragoceno področje, sprejel čiste SiC MOSFET alternative, medtem ko OBC in DC-DC še vedno uporabljata SiC SBD kot kratkoročni prehod.