800 V platforma ir silicio karbidas kartu skatina naujų energetinių transporto priemonių rinkos sprogimą
2025-01-04 22:02
61
800 V platforma ir silicio karbidas kartu skatina naujų energetinių transporto priemonių rinkos sprogimą. Segmentinėse programose pagrindinis keitiklis, kaip pagrindinė ir vertingiausia sritis, pasirinko gryno SiC MOSFET alternatyvas, o OBC ir DC-DC vis dar naudoja SiC SBD kaip trumpalaikį perėjimą.
