ເວທີ 800V ແລະ silicon carbide ຮ່ວມກັນສົ່ງເສີມການລະເບີດຂອງຕະຫຼາດຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່

MG Motor gallium nitride ເສີມ ຮ່ວມກັນ ແລະ MOSFET ມ SBD SiC MOS SiC MOSFET SiC SBD ທາງ ພະລັງງານ ພະລັງງານໃຫມ່ ສີ DC ສົ່ງ ຫຼັກ ທ ຮ່ວມ ນ ຄໍາ ພະລັງງານ ກທ ຕະຫຼາດ ທາງ ໄລຍະສັ້ນ ລະເບີດ SiC ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ ການຫັນປ່ຽນ ພາກສະຫນາມ ມກ ມກ
2025-01-04 22:03
 61
ເວທີ 800V ແລະ silicon carbide ຮ່ວມກັນສົ່ງເສີມການລະເບີດຂອງຕະຫຼາດຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່. ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຖືກແບ່ງອອກ, inverter ຕົ້ນຕໍ, ເປັນພາກສະຫນາມຫຼັກແລະມີຄຸນຄ່າຫຼາຍທີ່ສຸດ, ໄດ້ຮັບຮອງເອົາທາງເລືອກ SiC MOSFET ບໍລິສຸດ, ໃນຂະນະທີ່ OBC ແລະ DC-DC ຍັງໃຊ້ SiC SBD ເປັນການຫັນປ່ຽນໃນໄລຍະສັ້ນ.


News
Exclusive
Data
Account