Die Nutzungsfläche für Aluminiumnitrid-Halbleitersubstratmaterialien von Asahi Kasei hat sich um das 4,5-fache erhöht

Das japanische Unternehmen Asahi Kasei hat den Einsatzbereich seiner Aluminiumnitrid-Substrate für Leistungshalbleiter erfolgreich auf das 4,5-fache der bisherigen Größe erweitert. Bei Verwendung eines Substrats mit 4 Zoll (ca. 100 mm) Durchmesser vergrößert sich die nutzbare Fläche von 80 % auf 99 %. Das Unternehmen plant, mit der Lieferung von Mustern an Halbleiterhersteller zu beginnen und strebt die praktische Nutzung der Substrate bis 2027 an.