Dem Asahi Kasei säin Aluminiumnitrid Semiconductor Substrat Material Notzungsberäich ass ëm 4,5 Mol eropgaang

De japanesche Asahi Kasei huet d'Benotzungsberäich vu sengen Aluminiumnitrid-Substrate fir Kraafthalbleiteren op 4,5 Mol déi fréier Gréisst erweidert. Mat engem 4-Zoll (ongeféier 100 mm) Duerchmiesser Substrat gëtt de benotzbare Gebitt vun 80% op 99% erweidert. D'Firma plangt unzefänken Proben un Hallefleithersteller ze liwweren a beméieen d'praktesch Notzung vu Substrate bis 2027 ze realiséieren.