瞻芯电子第二代SiC MOSFET芯片实现比导通电阻降低25%

瞻芯电子推出的第二代SiC MOSFET芯片，相较于上一代产品，通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，实现了比导通电阻降低约25%，从而降低了器件损耗，提高了系统效率。这些芯片基于浙江瞻芯电子SiC晶圆厂的技术平台开发，自2023年9月以来，已有十几款采用同代技术平台的量产产品问世。