Эпитаксиальные пластины нитрида галлия на основе кремния компании Guosheng доставлены клиентам

Недавно компания Guosheng успешно разработала нитрид галлия на эпитаксиальных пластинах кремния (GaN-on-Si) и завершила поставку заказчику. Этот продукт был разработан эпитаксиальной группой Научно-исследовательского института материалов 55-го института CETC и в основном используется для изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых дискретных устройств.