ویفرهای اپیتاکسیال گالیوم نیترید مبتنی بر سیلیکون شرکت گووشنگ به مشتریان تحویل داده شده است.

اخیراً، شرکت گووشنگ با موفقیت نیترید گالیوم را بر روی ویفرهای اپیتاکسیال سیلیکونی (GaN-on-Si) توسعه داد و تحویل مشتری را تکمیل کرد. این محصول توسط گروه epitaxial موسسه تحقیقات مواد 55th Institute of CETC توسعه یافته است و عمدتاً برای تراشه های مدار مجتمع و دستگاه های گسسته نیمه هادی استفاده می شود.