Xingdi Technology GaN epitaxial wafer produktionslinje projekt har enorme investeringer

Den samlede investering i Xingdi Technology Project er op til 3 milliarder yuan, hvoraf den første fase-investering er 1 milliard yuan, som vil blive brugt til at planlægge og konstruere halvlederproduktionsanlæg og understøttende faciliteter. Ifølge projektlederen er projektets byggeperiode 18 måneder og forventes at producere 120.000 6-tommer GaN epitaksiale wafere årligt.