Xingdi Technology GaN epitaxial wafer produktionslinje projekt har enorma investeringar

Den totala investeringen i Xingdi Technology Project är upp till 3 miljarder yuan, varav den första fasens investering är 1 miljard yuan, som kommer att användas för att planera och bygga halvledarproduktionsanläggningar och stödjande anläggningar. Enligt projektledaren är projektets byggperiod 18 månader och förväntas producera 120 000 6-tums GaN epitaxialwafers årligen.