A Xingdi Technology GaN epitaxiális lapka gyártósor projektje hatalmas beruházással jár

A Xingdi Technology Project teljes beruházása eléri a 3 milliárd jüant, amelyből az első fázis 1 milliárd jüan, amelyet félvezetőgyártó üzemek és támogató létesítmények tervezésére és építésére fordítanak. A projekt vezetője szerint a projekt kivitelezési ideje 18 hónap, és várhatóan 120 000 darab 6 hüvelykes GaN epitaxiális lapka készül majd évente.