پروژه خط تولید ویفر اپیتاکسیال Xingdi Technology GaN سرمایه گذاری عظیمی دارد

کل سرمایه گذاری در پروژه فناوری Xingdi تا 3 میلیارد یوان است که سرمایه گذاری مرحله اول آن 1 میلیارد یوان است که برای برنامه ریزی و ساخت کارخانه های تولید نیمه هادی و تأسیسات پشتیبانی استفاده می شود. به گفته مجری طرح، مدت زمان ساخت پروژه 18 ماه است و پیش بینی می شود سالانه 120 هزار ویفر اپیتاکسیال 6 اینچی GaN تولید شود.