Samsung завершила розробку логічного чіпа пам’яті HBM4, масове виробництво очікується в другій половині 2025 року.

Підрозділ накопичувачів підрозділу Samsung DS завершив розробку логічного чіпа пам’яті HBM4 і розпочав пробне виробництво за 4-нм техпроцесом. Пам'ять HBM4 відіграє важливу роль у високопродуктивних обчисленнях, штучному інтелекті, обробці графіки та інших сферах завдяки своїй чудовій продуктивності. Оскільки проблема нагрівання під час роботи завжди перешкоджала розробці HBM, логічні мікросхеми стали основним джерелом тепла. Тому використання передових технологічних процесів має вирішальне значення для підвищення енергоефективності та продуктивності HBM4. Окрім використання власної 4-нм технології для виробництва логічних мікросхем, Samsung також представила 10-нм техпроцес для виробництва DRAM для створення кращих продуктів HBM4.