Infineon wäert e R&D Zentrum an Taiwan opstellen

Infineon plangt e R&D Zentrum an Taiwan opzebauen an déi nei Generatioun vun Automobile Bluetooth Chip Technologie op Taiwan fir R&D a Produktioun ze transferéieren, mat enger Gesamtinvestitioun vun NT $ 1,2 Milliarde. Dës Beweegung gëtt erwaart fir dem Infineon seng Investitioun an Taiwan vun NT $ 2.7 Milliarde ze féieren an den Ausgangswäert vum Taiwan elektresche Gefier Upstream an Downstream Industrien op NT $ 60 Milliarde ze féieren.