Infineon შექმნის R&D ცენტრს ტაივანში

Infineon გეგმავს შექმნას R&D ცენტრი ტაივანში და ახალი თაობის საავტომობილო Bluetooth ჩიპის ტექნოლოგია გადაიტანოს ტაივანში R&D და წარმოებისთვის, საერთო ინვესტიციით NT$1.2 მილიარდი. მოსალოდნელია, რომ ეს ნაბიჯი გამოიწვევს Infineon-ის ინვესტიციას NT$2.7 მილიარდი ტაივანში და მიიყვანს ტაივანის ელექტრომობილების გამოშვების ღირებულებას ზემოთ და ქვედა დინების ინდუსტრიებში NT$60 მილიარდამდე.