Samsung y Synopsys colaboran para optimizar el proceso de 2 nm

Samsung Electronics anunció su cooperación con Synopsys para optimizar conjuntamente su tecnología de proceso de 2 nm. La tecnología de diseño impulsada por IA y las soluciones de optimización colaborativa (DTCO) de Synopsys ayudarán a Samsung a mejorar el área, el rendimiento y la eficiencia energética del proceso de 2 nm. Se espera que Samsung comience la producción en masa de chips de 2 nm el próximo año. Esta generación de tecnología utiliza una arquitectura de transistor de efecto de campo de canal de puente múltiple (MBCFET) e introduce procesos de integración y epitaxia únicos. En comparación con los procesos FinFET existentes, el nuevo proceso mejora el rendimiento del transistor entre un 11% y un 46%, reduce la variabilidad en un 26% y reduce las fugas en aproximadamente un 50%.