Asahi Kasei ကုမ္ပဏီခွဲ Crystal IS သည် 4 လက်မအရွယ် အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာကို အောင်မြင်စွာ ထုတ်လုပ်ခဲ့သည်။

2024 ခုနှစ် ဇွန်လ 12 ရက်နေ့တွင် Asahi Kasei သည် အမေရိကန်နိုင်ငံ နယူးယောက်ရှိ Crystal IS ၏ လုပ်ငန်းခွဲတွင် 4 လက်မ (100 mm အချင်း) အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် (AlN) တစ်ခုတည်းသော crystal substrate ကို အောင်မြင်စွာ ထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့ပြီး ၎င်း၏ ဧရိယာ၏ 99% ကျော်၊ ယခု အသုံးပြုနေပါသည်။ ကုမ္ပဏီသည် 2024 ခုနှစ် ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင် စတင်ကာ ဂျပန်နှင့်ပြည်ပရှိ semiconductor စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူများအတွက် ဤနမူနာအလွှာကို ထောက်ပံ့ပေးရန် စီစဉ်နေပါသည်။