長飛先進武漢基地封頂，預計明年7月量產通線

長飛先進武漢基地近日完成了主體結構封頂，該基地主要專注於第三代半導體功率裝置的研發和生產，預計總投資超過200億元。工程佔地約22.94萬平方米，總建築面積約30.15萬平方米，主要包括晶圓製造廠房、封裝廠房等設施。預計明年7月將實現量產通線，年產36萬片SiC晶圓及外延、6,100萬個功率元件模組，廣泛應用於新能源汽車、光儲充等領域。長飛先進半導體公司在2023年完成了超過38億元的A輪融資。