Südkorea's SK Qifang Semiconductor huet en Duerchbroch an GaN Apparater gemaach

Viru kuerzem huet d'Südkorea SK Qifang Semiconductor Company wichteg Duerchbréch am Beräich vun GaN-Geräter gemaach an ugekënnegt datt et d'Entwécklung vu 650V Galliumnitrid HEMTs bis Enn vum Joer ofgeschloss huet. SK Qifang Semiconductor gouf am Joer 2020 gegrënnt a konzentréiert sech op d'Fuerschung an d'Entwécklung vun 8-Zoll Galliumnitrid-Prozesstechnologie. SK Qifang Semiconductor huet Aixtron's Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Ausrüstung am drëtten Trimester vun 2023 kaaft fir de Kommerzialiséierungsprozess vun 8-Zoll GaN Schmelzservicer ze beschleunegen, fir dëst vun 2025 bis 2026 Zil z'erreechen.