Южнокорейская компания SK Qifang Semiconductor совершила прорыв в производстве GaN-устройств

Недавно южнокорейская компания SK Semiconductor добилась важных прорывов в области GaN-устройств и объявила, что к концу года завершит разработку HEMT на основе нитрида галлия с напряжением 650 В. Компания SK Qifang Semiconductor была основана в 2020 году и специализируется на исследованиях и разработках технологии 8-дюймового нитрида галлия. SK Qifang Semiconductor приобрела оборудование для химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) Aixtron в третьем квартале 2023 года, чтобы ускорить процесс коммерциализации услуг по литью 8-дюймовых GaN. Цель состоит в том, чтобы достичь этой цели с 2025 по 2026 год.