Jihokorejský SK Qifang Semiconductor učinil průlom v zařízeních GaN

Jihokorejská SK Semiconductor Company nedávno učinila důležitý průlom v oblasti zařízení GaN a oznámila, že do konce roku dokončí vývoj 650V gallium nitridu HEMT. SK Qifang Semiconductor byla založena v roce 2020 a zaměřuje se na výzkum a vývoj 8palcové procesní technologie nitridu galia. Společnost SK Qifang Semiconductor zakoupila ve třetím čtvrtletí roku 2023 zařízení společnosti Aixtron pro organickou chemickou depozici z plynné fáze (MOCVD), aby urychlila proces komercializace 8palcových slévárenských služeb GaN. Cílem je dosáhnout tohoto cíle od roku 2025 do roku 2026.