Lõuna-Korea SK Qifang Semiconductor on GaN-seadmetes teinud läbimurde

Hiljuti tegi Lõuna-Korea SK Semiconductor Company GaN-seadmete valdkonnas olulisi läbimurdeid ja teatas, et lõpetab aasta lõpuks 650 V galliumnitriidi HEMT-de väljatöötamise. SK Qifang Semiconductor asutati 2020. aastal ja keskendub 8-tollise galliumnitriidi protsessitehnoloogia uurimisele ja arendamisele. SK Qifang Semiconductor ostis 2023. aasta kolmandas kvartalis Aixtroni metalli orgaanilise keemilise aurustamise-sadestamise (MOCVD) seadmed, et kiirendada 8-tollise GaN valukoja teenuste turustamisprotsessi, eesmärgiga saavutada see aastatel 2025 kuni 2026 Target.