दक्षिण कोरिया के SK Qifang सेमीकंडक्टर ने GaN उपकरणों में एक सफलता हासिल की है

हाल ही में, दक्षिण कोरिया की एसके सेमीकंडक्टर कंपनी ने GaN उपकरणों के क्षेत्र में महत्वपूर्ण सफलता हासिल की है और घोषणा की है कि वह साल के अंत तक 650V गैलियम नाइट्राइड HEMTs का विकास पूरा कर लेगी। एसके किफांग सेमीकंडक्टर की स्थापना 2020 में हुई थी और यह 8-इंच गैलियम नाइट्राइड प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के अनुसंधान और विकास पर केंद्रित है। SK Qifang सेमीकंडक्टर ने 8-इंच GaN फाउंड्री सेवाओं के व्यावसायीकरण प्रक्रिया में तेजी लाने के लिए 2023 की तीसरी तिमाही में Aixtron के मेटल-ऑर्गेनिक केमिकल वाष्प जमाव (MOCVD) उपकरण खरीदे हैं। लक्ष्य 2025 से 2026 तक इसे हासिल करना है।