SK Qifang Semiconductor ของเกาหลีใต้ได้สร้างความก้าวหน้าในอุปกรณ์ GaN

เมื่อเร็วๆ นี้ บริษัท SK Qifang Semiconductor ของเกาหลีใต้ได้สร้างความก้าวหน้าครั้งสำคัญในด้านอุปกรณ์ GaN และประกาศว่าบริษัทจะเสร็จสิ้นการพัฒนา HEMT แกลเลียมไนไตรด์ 650V ภายในสิ้นปีนี้ SK Qifang Semiconductor ก่อตั้งขึ้นในปี 2020 และมุ่งเน้นการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการแกลเลียมไนไตรด์ขนาด 8 นิ้ว SK Qifang Semiconductor ได้ซื้ออุปกรณ์การตกสะสมไอสารเคมีอินทรีย์อินทรีย์ (MOCVD) ของ Aixtron ในไตรมาสที่สามของปี 2023 เพื่อเร่งกระบวนการดำเนินการเชิงพาณิชย์ของบริการโรงหล่อ GaN ขนาด 8 นิ้ว โดยมีเป้าหมายเพื่อให้บรรลุเป้าหมายนี้ตั้งแต่ปี 2025 ถึง 2026