芯粵能SiC晶片製造專案加速一期產能爬坡

芯粵能的SiC晶片製造專案一期已進入產能爬坡階段，預計年底實現年產24萬片6吋車規級SiC晶片的規劃產能。本計畫總投資額為75億元，主要產品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率元件。