Το έργο κατασκευής τσιπ Xin Yueneng SiC επιταχύνει την αύξηση της παραγωγικής ικανότητας της πρώτης φάσης

Η πρώτη φάση του έργου κατασκευής τσιπ SiC της Xin Yueneng έχει εισέλθει στο στάδιο αύξησης της παραγωγικής ικανότητας και αναμένεται να επιτύχει μια προγραμματισμένη ετήσια παραγωγική ικανότητα 240.000 τσιπ SiC κατηγορίας αυτοκινήτου 6 ιντσών μέχρι το τέλος του έτους. Η συνολική επένδυση στο έργο είναι 7,5 δισεκατομμύρια γιουάν και τα κύρια προϊόντα του περιλαμβάνουν συσκευές ισχύος όπως IGBT, SiC SBD/JBS και SiC MOSFET.