Xin Yueneng SiC kiibi tootmisprojekt kiirendab esimese etapi tootmisvõimsuse suurendamist

Xin Yuenengi SiC-kiibi tootmise projekti esimene etapp on jõudnud tootmise suurendamise etappi ja eeldatavasti saavutab aasta lõpuks kavandatud 240 000 6-tollise autotööstusele mõeldud SiC-kiibi aastane tootmisvõimsus. Projekti koguinvesteering on 7,5 miljardit jüaani ja selle peamised tooted hõlmavad selliseid toiteseadmeid nagu IGBT, SiC SBD/JBS ja SiC MOSFET.