نیمه هادی فیدی به فناوری یخ شکنی در زمینه تراشه های SiC دست می یابد
ییلی الکترونیک
ژجیانگ میلی
1200 ولت
و
ماسفت
نه
نیمه
خود
نه
مبدل
مبدل
مبدل
دستگاه
لیون
سطح
دستگاه
دل
زمین
زمین
نه
نیمه هادی
SiC
فی
درو
2025-01-09 10:06
267
ماسفت‌های SiC نیمه هادی فیزی در سطح خودرو در منابع تغذیه خودرو (OBC)، مبدل‌های DC-DC و سایر زمینه‌ها استفاده شده‌اند و مجموع محموله‌های دستگاه‌های کاربید سیلیکون 1200 ولت از 24 میلیون فراتر رفته است.
