Fujian Jingxu Semiconductor Technology、新規プロジェクトの構築に 16 億 8,000 万を投資

福建省京旭半導体技術有限公司の第二期プロジェクトは、新素材の酸化ガリウム圧電膜をベースにした高周波フィルターチップ生産プロジェクトで、総投資額は16億8,000万元で、以下の産業プラントを建設する予定である。 136エーカーの面積。このプロジェクトは、世界初の超ワイドバンドギャップ半導体高周波フィルターチップの生産ラインを確立するものです。