Fujian Jingxu Semiconductor Technology investiert 1,68 Milliarden in den Bau neuer Projekte

Das Projekt der zweiten Phase von Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. – ein Hochfrequenz-Filterchip-Produktionsprojekt auf Basis des neuen Materials der piezoelektrischen Galliumoxidfolie – hat eine Gesamtinvestition von 1,68 Milliarden Yuan und sieht den Bau einer Industrieanlagenabdeckung vor eine Fläche von 136 Hektar. Mit diesem Projekt wird die weltweit erste Produktionslinie für Halbleiter-Hochfrequenzfilterchips mit extrem großer Bandlücke errichtet.