Fujian Jingxu Semiconductor Technology investéiert 1,68 Milliarden fir nei Projeten ze bauen

Déi zweet Phase Projet vun Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. - eng héich-Frequenz Filter Chip Produktioun Projet baséiert op der neier Material vun Gallium Oxid piezoelectric Film, huet eng Gesamtinvestitioun vun 1,68 Milliarden Yuan a plangt eng industriell Planz ze bauen deckt eng Fläch vun 136 Hektar. Dëse Projet wäert déi éischt ultra-breet Bandgap Halbleiter Héichfrequenz Filter Chip Produktiounslinn op der Welt etabléieren.