Fujian Jingxu Semiconductor Technology သည် ပရောဂျက်အသစ်များ တည်ဆောက်ရန်အတွက် 1.68 ဘီလီယံ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံထားသည်။

Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. ၏ ဒုတိယအဆင့် ပရောဂျက်သည် Galium oxide piezoelectric film ၏ ပစ္စည်းအသစ်ကို အခြေခံ၍ ကြိမ်နှုန်းမြင့် စစ်ထုတ်သည့် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ရေး ပရောဂျက်ဖြစ်ပြီး စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု ယွမ် 1.68 ဘီလီယံ ရှိပြီး စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး စက်ရုံတစ်ခု တည်ဆောက်ရန် စီစဉ်ထားသည်။ ဧရိယာ ၁၃၆ ဧက ကျယ်ဝန်းသည်။ ဤပရောဂျက်သည် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး ultra-wide bandgap semiconductor ကြိမ်နှုန်းမြင့် filter ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို တည်ထောင်မည်ဖြစ်သည်။