Fujian Jingxu Semiconductor Technology វិនិយោគ 1.68 ពាន់លាន ដើម្បីសាងសង់គម្រោងថ្មីៗ

គម្រោងដំណាក់កាលទីពីររបស់ក្រុមហ៊ុន Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. ដែលជាគម្រោងផលិតបន្ទះឈីបតម្រងប្រេកង់ខ្ពស់ដោយផ្អែកលើសម្ភារៈថ្មីនៃខ្សែភាពយន្ត Galium oxide piezoelectric មានទុនវិនិយោគសរុបចំនួន 1.68 ពាន់លានយន់ ហើយគ្រោងនឹងសាងសង់រោងចក្រឧស្សាហកម្មគ្របដណ្តប់។ ផ្ទៃដី ១៣៦ ហិចតា។ គម្រោងនេះនឹងបង្កើតខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មបន្ទះឈីបតម្រងប្រេកង់ខ្ពស់ ultra-wide bandgap semiconductor ដំបូងបង្អស់របស់ពិភពលោក។