Fujian Jingxu Semiconductor Technology משקיעה 1.68 מיליארד לבניית פרויקטים חדשים
2025-01-09 15:56
303
פרויקט השלב השני של Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. - פרויקט ייצור שבבי מסנן בתדר גבוה המבוסס על החומר החדש של סרט פיזואלקטרי של גליום אוקסיד, כולל השקעה כוללת של 1.68 מיליארד יואן ומתכננים לבנות מפעל תעשייתי המכסה שטח של 136 דונם. פרויקט זה יקים את קו ייצור שבבי המסנן בתדר גבוה של מוליכים למחצה עם פערי פס רחב במיוחד בעולם.
