Samsung Electronics izlaiž jaunu krātuves plānu

Samsung Electronics nesen izlaida jaunu krātuves plānu, plānojot nākamajos gados ieviest virkni novatorisku uzglabāšanas risinājumu. To vidū visievērojamākie ir nākamās paaudzes V-NAND tehnoloģija ar vairāk nekā 400 slāņiem, kas tiks laisti klajā 2026. gadā, un 0a nm DRAM, kuras pamatā ir VCT struktūra, kas tika ieviesta 2027. gadā. Šīs jaunās tehnoloģijas palīdzēs uzlabot atmiņas ierīču veiktspēju un ietilpību, lai apmierinātu pieaugošās datu apstrādes vajadzības.