Samsung Electronics przedstawia nowy plan działania w zakresie pamięci masowych

Firma Samsung Electronics opublikowała niedawno nowy plan działania w zakresie pamięci masowej, w którym planuje wprowadzić na rynek w ciągu najbliższych kilku lat serię innowacyjnych rozwiązań w zakresie pamięci masowej. Wśród nich najbardziej przyciągające uwagę są technologia V-NAND nowej generacji z ponad 400 warstwami, która ma zostać wprowadzona na rynek w 2026 r. oraz pamięć DRAM 0a nm oparta na strukturze VCT wprowadzona na rynek w 2027 r. Te nowe technologie pomogą poprawić wydajność i pojemność urządzeń pamięci masowej, aby sprostać rosnącym potrzebom w zakresie przetwarzania danych.