Samsung Electronics vydává nový plán úložiště

Společnost Samsung Electronics nedávno vydala nový plán úložišť a plánuje v příštích několika letech uvést na trh řadu inovativních úložných řešení. Mezi nejpoutavější jsou technologie V-NAND nové generace s více než 400 vrstvami, které mají být uvedeny na trh v roce 2026, a 0a nm DRAM založená na struktuře VCT uvedená na trh v roce 2027. Tyto nové technologie pomohou zlepšit výkon a kapacitu úložných zařízení, aby vyhovovaly rostoucím potřebám zpracování dat.