Samsung Electronics công bố lộ trình lưu trữ mới

Samsung Electronics gần đây đã đưa ra lộ trình lưu trữ mới, dự định tung ra một loạt giải pháp lưu trữ cải tiến trong vài năm tới. Trong số đó, bắt mắt nhất là công nghệ V-NAND thế hệ tiếp theo với hơn 400 lớp sẽ ra mắt vào năm 2026 và DRAM 0a nm dựa trên cấu trúc VCT ra mắt vào năm 2027. Những công nghệ mới này sẽ giúp cải thiện hiệu suất và dung lượng của các thiết bị lưu trữ nhằm đáp ứng nhu cầu xử lý dữ liệu ngày càng tăng.