Samsung Electronics yeni yaddaş yol xəritəsini təqdim edir

Samsung Electronics yaxın bir neçə il ərzində bir sıra innovativ saxlama həllərini təqdim etməyi planlaşdıran yeni saxlama yol xəritəsini təqdim etdi. Onların arasında ən çox diqqət çəkənləri 2026-cı ildə istifadəyə veriləcək 400-dən çox təbəqəyə malik yeni nəsil V-NAND texnologiyası və 2027-ci ildə istifadəyə verilən VCT strukturuna əsaslanan 0a nm DRAM-dır. Bu yeni texnologiyalar artan məlumat emalı ehtiyaclarını ödəmək üçün saxlama cihazlarının performansını və tutumunu yaxşılaşdırmağa kömək edəcək.