三星電子計畫推出新一代V-NAND技術

根據韓國媒體通報，三星電子計畫在2026年推出超過400層的新一代V-NAND技術，並在2027年推出基於VCT結構的0a nm DRAM。這種新型的V-NAND技術稱為BV（Bonding Vertical） NAND，它將改變現有的CoP外圍上單元結構，透過分別製造儲存單元和外圍電路後進行垂直鍵合，從而避免在NAND堆疊過程中對外圍電路結構的破壞，並且可以實現比CoP方案高出60%的位元密度。此外，2027年的V11 NAND層數將進一步增加，I/O速率可提高50%，未來可望實現千層堆疊。